高導熱低溫燒結固晶銀膠


產品應用

高功率半導體,適用鋼板印刷製程。
Ex: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
 

燒結條件

  1. 升溫速率5℃/分,室溫~125℃ + 30分鐘持溫125℃。
  2. 升溫速率5℃/分,125℃~230℃ + 60分鐘持溫230℃。

產品優勢

  1. 高熱導性: >100 W/ mK。
  2. 不會有使用錫膏共晶法固晶的缺點(例如產生介金屬化合物造成機械強度變差以及元件封裝後再經迴焊爐錫層熔融的風險)有助於提升高功率模組的生命週期。
  3. 高附著力:增強元件及底材可靠性(Ag or Au)。
  4. 無壓低溫燒結性: 230℃低溫燒結,降低客戶製程晶片損壞率,提升製程良率。

》低溫無壓環境下,燒結膠有效擴散至Au層(Si晶片鍍Au)。

 

項目
DW3-004系列
固體含量 90±2%
黏度@5rpm
30000±5000 Cps
體積電阻率 <8×E-6 ohm-cm
附著強度
(0.5x0.5mm Si die on Ag leadframe)
>20 MPa(常溫)
>10 MPa(260℃)
CTE(Alpha 1) 12 ppm/℃
Modulus 10 GPa(常溫)
熱傳導係數 >100W/mK (121℃)

 

ABOUT

成立於西元2007年6月,結合卓越的經營團隊,以最先進的生產技術,製造出高品質的厚膜導體材料;持續專注在厚膜導體材料的生產及銷售,不斷開發新技術及改善製程並加強合理化管理,以應付變化迅速及競爭激烈的科技產業。